창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PUMZ2,125 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PIMZ2,PUMZ2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN, PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 150mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 100MHz, 190MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-TSSOP | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 934058172125 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PUMZ2,125 | |
| 관련 링크 | PUMZ2, PUMZ2,125 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | C1808C181FZGACTU | 180pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.185" L x 0.079" W(4.70mm x 2.00mm) | C1808C181FZGACTU.pdf | |
![]() | 7M12000020 | 12MHz ±30ppm 수정 8pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M12000020.pdf | |
![]() | 1N720A | DIODE ZENER 18V 250MW DO35 | 1N720A.pdf | |
![]() | DM200-01-3-9550-0-LC | MOD LASER DWDM 8X50GHZ 200KM | DM200-01-3-9550-0-LC.pdf | |
![]() | TDT71V016SA15PHG | TDT71V016SA15PHG IDT SOP | TDT71V016SA15PHG.pdf | |
![]() | 2PA1774SJ | 2PA1774SJ NXP SMD or Through Hole | 2PA1774SJ.pdf | |
![]() | HY911105A | HY911105A HanRun SMD or Through Hole | HY911105A.pdf | |
![]() | LSGT676-Q7-1-0+P7-3-0R18 | LSGT676-Q7-1-0+P7-3-0R18 OSRAMOPTO SMD or Through Hole | LSGT676-Q7-1-0+P7-3-0R18.pdf | |
![]() | RC2012J471ES | RC2012J471ES SAMSUNGEM Call | RC2012J471ES.pdf | |
![]() | BLY68 | BLY68 ORIGINAL SMD or Through Hole | BLY68.pdf | |
![]() | 54104-3090 | 54104-3090 molex SMD or Through Hole | 54104-3090.pdf | |
![]() | RB10BTS8250 | RB10BTS8250 TA-I SMD or Through Hole | RB10BTS8250.pdf |