창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PUMD6,125 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PEMD6,PUMD6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 300mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 934055430125 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PUMD6,125 | |
관련 링크 | PUMD6, PUMD6,125 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | LAKW6221MELB40 | 220µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 105°C | LAKW6221MELB40.pdf | |
![]() | C1206C152M5GACTU | 1500pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C152M5GACTU.pdf | |
![]() | MXO45HSTLV-3C-60M0000 | 60MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 3.3V 35mA Enable/Disable | MXO45HSTLV-3C-60M0000.pdf | |
![]() | PBSS9110T | PBSS9110T NXP SMD or Through Hole | PBSS9110T.pdf | |
![]() | ICS1892Y-14LF | ICS1892Y-14LF ICS QFP | ICS1892Y-14LF.pdf | |
![]() | AS-3.6864-20-SMDT | AS-3.6864-20-SMDT RALTRON SMD or Through Hole | AS-3.6864-20-SMDT.pdf | |
![]() | RC2-50V2R2MD1 | RC2-50V2R2MD1 ELNA SMD or Through Hole | RC2-50V2R2MD1.pdf | |
![]() | 2SA971 | 2SA971 SAK TO-3 | 2SA971.pdf | |
![]() | 3408-6302 | 3408-6302 M SMD or Through Hole | 3408-6302.pdf | |
![]() | HD74H4511P | HD74H4511P HIT DIP | HD74H4511P.pdf | |
![]() | CL21A105KBFNNNE | CL21A105KBFNNNE SAMSUNG 0805-105K | CL21A105KBFNNNE.pdf |