홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » PUMD10,135

NXP Semiconductors PUMD10,135

PUMD10,135
제조업체 부품 번호
PUMD10,135
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
데이터 시트 다운로드
다운로드
PUMD10,135 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 52.29960
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PUMD10,135 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PUMD10,135 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PUMD10,135가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PUMD10,135 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PUMD10,135 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PUMD10,135
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PEMD10,PUMD10
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지6-TSSOP
표준 포장 10,000
다른 이름934055239135
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PUMD10,135
관련 링크PUMD10, PUMD10,135 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PUMD10,135 의 관련 제품
4.7nH Unshielded Multilayer Inductor 400mA 200 mOhm Max 0805 (2012 Metric) AIMC-0805-4N7S-T.pdf
RES SMD 17.4K OHM 1/10W 0603 AT0603CRD0717K4L.pdf
RES 1.1K OHM 0.6W 1% AXIAL MBB02070C1101FC100.pdf
UA78M33-Q1 TI 4SOT-223 UA78M33-Q1.pdf
UN920335 ICS SO UN920335.pdf
4836STM ORIGINAL SOP8 4836STM.pdf
TMP82C51AM-2(EL) TOSHIBA SMD or Through Hole TMP82C51AM-2(EL).pdf
W-86-24() ORIGINAL SMD or Through Hole W-86-24().pdf
RB751V40+115 NXP SOT23 RB751V40+115.pdf
65823-553 ORIGINAL SMD or Through Hole 65823-553.pdf
R3112Q181C RICOH/ SOT-343 R3112Q181C.pdf
EVALVIPER17H-6W STMICROELECTRONICS SMD or Through Hole EVALVIPER17H-6W.pdf