창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PUMB3,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PEMB3,PUMB3 | |
| PCN 설계/사양 | Copper Bond Wire 26/Nov/2014 Copper Bond Wire Revision 26/Jan/2015 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-TSSOP | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-11278-2 934056727115 PUMB3 T/R PUMB3 T/R-ND PUMB3,115-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PUMB3,115 | |
| 관련 링크 | PUMB3, PUMB3,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | SMBJ10A-M3/52 | TVS DIODE 10VWM 17VC DO-215AA | SMBJ10A-M3/52.pdf | |
![]() | SS30V-R200132 | 13.2mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2A DCR 210 mOhm | SS30V-R200132.pdf | |
![]() | RNCF0603CTC2R21 | RES SMD 2.21OHM 0.25% 1/10W 0603 | RNCF0603CTC2R21.pdf | |
![]() | AT24C16A-10SI-2.7 | AT24C16A-10SI-2.7 ATMEL SMD or Through Hole | AT24C16A-10SI-2.7.pdf | |
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![]() | S1X6526FOAO | S1X6526FOAO EPSON TQFP100 | S1X6526FOAO.pdf | |
![]() | TDA7540NCD | TDA7540NCD ST TQFP100 | TDA7540NCD.pdf | |
![]() | OD-8566-DSBM | OD-8566-DSBM NEC SMD or Through Hole | OD-8566-DSBM.pdf | |
![]() | HU52W181MCYS4PF | HU52W181MCYS4PF HIT SMD or Through Hole | HU52W181MCYS4PF.pdf |