창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PTZTE2518B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PTZ18B | |
카탈로그 페이지 | 1643 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 12옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 13V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | PMDS | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | PTZTE2518B-ND PTZTE2518BTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PTZTE2518B | |
관련 링크 | PTZTE2, PTZTE2518B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | AISM-1812-8R2K-T | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 270mA 1.4 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | AISM-1812-8R2K-T.pdf | |
![]() | RD3.3UM-T2 | RD3.3UM-T2 NEC SOT-23 | RD3.3UM-T2.pdf | |
![]() | LM4120IM5X-4.1 TEL:82766440 | LM4120IM5X-4.1 TEL:82766440 NS SMD or Through Hole | LM4120IM5X-4.1 TEL:82766440.pdf | |
![]() | CDRH6D26NP-3R6NC | CDRH6D26NP-3R6NC SUMIDA SMD or Through Hole | CDRH6D26NP-3R6NC.pdf | |
![]() | SWRH5D18S-3R3MT | SWRH5D18S-3R3MT Sunlord SMD or Through Hole | SWRH5D18S-3R3MT.pdf | |
![]() | TA1287P | TA1287P TOSHIBA DIP | TA1287P.pdf | |
![]() | XCV600-4FG676 | XCV600-4FG676 XILINX BGA | XCV600-4FG676.pdf | |
![]() | GES5810 | GES5810 ORIGINAL TO-92 | GES5810.pdf | |
![]() | TD3062-H | TD3062-H SSOUSA DIPSOP | TD3062-H.pdf | |
![]() | SM209N2 | SM209N2 ORIGINAL DIP40 | SM209N2.pdf |