창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PTVS7V0S1UTR,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PTVSxS1UTR Series | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 7V | |
전압 - 항복(최소) | 7.78V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 12V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 33.3A | |
전력 - 피크 펄스 | 400W | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 자동차 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 185°C(TA) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123W | |
공급 장치 패키지 | SOD123W | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-10908-2 934065477115 PTVS7V0S1UTR,115-ND PTVS7V0S1UTR115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PTVS7V0S1UTR,115 | |
관련 링크 | PTVS7V0S1, PTVS7V0S1UTR,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | B82422A3221J100 | 220nH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 640 mOhm Max 2-SMD | B82422A3221J100.pdf | |
![]() | MDP1405121CGE04 | RES NTWRK 24 RES MULT OHM 14DIP | MDP1405121CGE04.pdf | |
![]() | Y0094V0119BB9L | RES NTWRK 2 RES MULT OHM RADIAL | Y0094V0119BB9L.pdf | |
![]() | 24AA04-I/OH | 24AA04-I/OH MICROCHIP SOT23-5 | 24AA04-I/OH.pdf | |
![]() | M95256-WMN6/Q | M95256-WMN6/Q ST SOP-8 | M95256-WMN6/Q.pdf | |
![]() | SSG100D160 | SSG100D160 SANREX SCR | SSG100D160.pdf | |
![]() | PX-5087 | PX-5087 NC SMD or Through Hole | PX-5087.pdf | |
![]() | PIC24FJ64GB110-I/PF | PIC24FJ64GB110-I/PF MicrochipTechnology 100-TQFP | PIC24FJ64GB110-I/PF.pdf | |
![]() | PLW3216S222Q2L | PLW3216S222Q2L MURATA SMD or Through Hole | PLW3216S222Q2L.pdf | |
![]() | NRWS332M50V18X35.5F | NRWS332M50V18X35.5F NIP SMD or Through Hole | NRWS332M50V18X35.5F.pdf | |
![]() | B66317G250X187 | B66317G250X187 TDK-EPC SMD or Through Hole | B66317G250X187.pdf | |
![]() | RM06FT3163 | RM06FT3163 TAI-TECH SMD or Through Hole | RM06FT3163.pdf |