창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PTV10B-M3/84A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PTV3.9B thru PTV36B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | eSMP® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10.6V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 600mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 6옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
| 작동 온도 | 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-220AA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-220AA(SMP) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PTV10B-M3/84A | |
| 관련 링크 | PTV10B-, PTV10B-M3/84A 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D511MLBAJ | 510pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D511MLBAJ.pdf | |
![]() | VJ0603D750GXXAT | 75pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D750GXXAT.pdf | |
![]() | 416F52011AKT | 52MHz ±10ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52011AKT.pdf | |
![]() | 1201PDE140 | 1201PDE140 IR IGBT | 1201PDE140.pdf | |
![]() | 6131_ | 6131_ ST SOP-8 | 6131_.pdf | |
![]() | HJ931201P3EA | HJ931201P3EA MICROMAS NULL | HJ931201P3EA.pdf | |
![]() | MBAS16 | MBAS16 NULL na | MBAS16.pdf | |
![]() | TM1506 | TM1506 TI DIP | TM1506.pdf | |
![]() | JL82C86H | JL82C86H INTEL AUCDIP | JL82C86H.pdf | |
![]() | PNX8011DIHN/029 | PNX8011DIHN/029 NXP HVQFN-88P | PNX8011DIHN/029.pdf | |
![]() | AMS317A-5.0V | AMS317A-5.0V AMS SOT-223 | AMS317A-5.0V.pdf |