창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PTS635VH31LFS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | PTS635VH31LFS | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | PTS635VH31LFS | |
| 관련 링크 | PTS635V, PTS635VH31LFS 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | C3216X7R2J153K130AM | 0.015µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216X7R2J153K130AM.pdf | |
| AX-8.000MAMV-T | 8MHz ±30ppm 수정 8pF 120옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | AX-8.000MAMV-T.pdf | ||
![]() | CE201210-1N8D | 1.8nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 100 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | CE201210-1N8D.pdf | |
![]() | RCP2512B680RGS3 | RES SMD 680 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512B680RGS3.pdf | |
![]() | RNF18DTD499R | RES 499 OHM 1/8W .5% AXIAL | RNF18DTD499R.pdf | |
![]() | MAX2009ETI+T | RF IC RF Predistorter CDMA2000, DCS1800, WCMDA/UMTS 1.2GHz ~ 2.5GHz Up to 12dB ACPR Improvement 28-TQFN (5x5) | MAX2009ETI+T.pdf | |
![]() | BXA150-48W12 | BXA150-48W12 ARTESYN SMD or Through Hole | BXA150-48W12.pdf | |
![]() | G240D45 | G240D45 COR SMD or Through Hole | G240D45.pdf | |
![]() | DRJ-05D05 | DRJ-05D05 DEXU SMD | DRJ-05D05.pdf | |
![]() | K9HCGZ8U5M-SCBO | K9HCGZ8U5M-SCBO K/HY TSOP | K9HCGZ8U5M-SCBO.pdf |