창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PTFB211501EV1R0XTMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PTFB211501E,F | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | * | |
부품 현황 | 신제품 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 2.17GHz | |
이득 | 18dB | |
전압 - 테스트 | 30V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 1.2A | |
전력 - 출력 | 40W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | * | |
공급 장치 패키지 | * | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001413930 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PTFB211501EV1R0XTMA1 | |
관련 링크 | PTFB211501EV, PTFB211501EV1R0XTMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | FMP200JR-52-15R | RES 15 OHM 2W 5% AXIAL | FMP200JR-52-15R.pdf | |
![]() | TPSS105M020R6000 | TPSS105M020R6000 AVX SMD or Through Hole | TPSS105M020R6000.pdf | |
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![]() | IRGKI200F06 | IRGKI200F06 IR SMD or Through Hole | IRGKI200F06.pdf | |
![]() | HIP6311VCB | HIP6311VCB INTERSIL SMD20 | HIP6311VCB.pdf | |
![]() | NBT0232M | NBT0232M NBT SOP | NBT0232M.pdf |