창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PTFB182503ELV1R0XTMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PTFB182503EL,FL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | * | |
부품 현황 | 신제품 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 1.88GHz | |
이득 | 19dB | |
전압 - 테스트 | 30V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 1.85A | |
전력 - 출력 | 50W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | * | |
공급 장치 패키지 | * | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001400454 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PTFB182503ELV1R0XTMA1 | |
관련 링크 | PTFB182503EL, PTFB182503ELV1R0XTMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 416F38422CTR | 38.4MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38422CTR.pdf | |
![]() | R7011203XXUA | DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO200 | R7011203XXUA.pdf | |
![]() | OM1215E-R58 | RES 120 OHM 1W 5% AXIAL | OM1215E-R58.pdf | |
![]() | A632 | A632 ALLEGRO QFN | A632.pdf | |
![]() | ML7805 | ML7805 MIC T0-220 | ML7805.pdf | |
![]() | A1821-5765 | A1821-5765 NSC SMD or Through Hole | A1821-5765.pdf | |
![]() | 07FHJ-SM1-GAN-TB | 07FHJ-SM1-GAN-TB JST SMD | 07FHJ-SM1-GAN-TB.pdf | |
![]() | S29GL032M90TF1R30 | S29GL032M90TF1R30 Pb TSSOP | S29GL032M90TF1R30.pdf | |
![]() | LM2791D-H | LM2791D-H ACCEPT SMD or Through Hole | LM2791D-H.pdf | |
![]() | N27C2561 | N27C2561 int SMD or Through Hole | N27C2561.pdf | |
![]() | NC7NP14L8X | NC7NP14L8X FAIRCHILD MAC08A | NC7NP14L8X.pdf |