창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PTFA220081MV4XUMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PTFA220081M | |
| PCN 조립/원산지 | New Wafer Carrier 28/Oct/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 940MHz | |
| 이득 | 20.7dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 100mA | |
| 전력 - 출력 | 8W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | 10-LDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SON-10 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | PTFA220081M V4 PTFA220081M V4-ND PTFA220081MV4XTMA1 SP000707920 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PTFA220081MV4XUMA1 | |
| 관련 링크 | PTFA220081, PTFA220081MV4XUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | LP120F33IDT | 12MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP120F33IDT.pdf | |
![]() | AF0402FR-07280KL | RES SMD 280K OHM 1% 1/16W 0402 | AF0402FR-07280KL.pdf | |
![]() | NJM2380AUTE1 | NJM2380AUTE1 JRC DIODE | NJM2380AUTE1.pdf | |
![]() | 4460555584 | 4460555584 PHILIPS SMD | 4460555584.pdf | |
![]() | T7L40TB-0101 | T7L40TB-0101 TOS SMD or Through Hole | T7L40TB-0101.pdf | |
![]() | M5516F1 | M5516F1 ST CDIP16 | M5516F1.pdf | |
![]() | BZY97C120RL | BZY97C120RL ST DO-15 | BZY97C120RL.pdf | |
![]() | EBMS321611A310 | EBMS321611A310 ORIGINAL SMD or Through Hole | EBMS321611A310.pdf | |
![]() | 2SC2714-Y(T5L.F) | 2SC2714-Y(T5L.F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SC2714-Y(T5L.F).pdf | |
![]() | MC6890S | MC6890S MOT DIP-40 | MC6890S.pdf | |
![]() | HG76CS039BWV | HG76CS039BWV RENESAS SMD or Through Hole | HG76CS039BWV.pdf | |
![]() | zc0204fke07470k | zc0204fke07470k vit SMD or Through Hole | zc0204fke07470k.pdf |