창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PTF080101M V1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PTF080101M | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 20/Apr/2010 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | GOLDMOS® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 960MHz | |
이득 | 16dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | 1µA | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 180mA | |
전력 - 출력 | 10W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | 10-TFSOP, 10-MSOP(0.118", 3.00mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | PG-RFP-10 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | PTF080101MV1XT SP000082763 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PTF080101M V1 | |
관련 링크 | PTF0801, PTF080101M V1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | PJ002BH | PJ002BH ORIGINAL SMD or Through Hole | PJ002BH.pdf | |
![]() | F3377AM2(A1) | F3377AM2(A1) ORIGINAL TQFP | F3377AM2(A1).pdf | |
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![]() | SI5517DU | SI5517DU VISHAY QFN | SI5517DU.pdf | |
![]() | D052X10-5V10.5 | D052X10-5V10.5 ADA SMD or Through Hole | D052X10-5V10.5.pdf | |
![]() | LQW04AN9N1D00L | LQW04AN9N1D00L MURATA SMD or Through Hole | LQW04AN9N1D00L.pdf |