창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN7R5-30MLDX | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PSMN7R5-30MLD | |
| 주요제품 | NextPowerS3MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 57A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.6m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 655pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-1210, 8-LFPAK33(5리드) | |
| 공급 장치 패키지 | LFPAK33 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 568-11377-2 934067972115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN7R5-30MLDX | |
| 관련 링크 | PSMN7R5-, PSMN7R5-30MLDX 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 860160375036 | 1800µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 6000 Hrs @ 105°C | 860160375036.pdf | |
![]() | 824541581 | TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB | 824541581.pdf | |
![]() | H4162RBDA | RES 162 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4162RBDA.pdf | |
![]() | SN8P2501BS | SN8P2501BS IC SOP | SN8P2501BS.pdf | |
![]() | DS1991LV031ATM | DS1991LV031ATM NS SOP | DS1991LV031ATM.pdf | |
![]() | ROD-63V330M | ROD-63V330M ELNA DIP | ROD-63V330M.pdf | |
![]() | LS307TB | LS307TB SGS SMD or Through Hole | LS307TB.pdf | |
![]() | KTY13-C | KTY13-C Sie SOT-23 | KTY13-C.pdf | |
![]() | ESME800ELL100MHB5D | ESME800ELL100MHB5D ORIGINAL DIP | ESME800ELL100MHB5D.pdf | |
![]() | AM29LV001BB-70JD | AM29LV001BB-70JD AMD PLCC-32 | AM29LV001BB-70JD.pdf | |
![]() | AP2112R5A-2.6TRG1 | AP2112R5A-2.6TRG1 BCD SOT89-5 | AP2112R5A-2.6TRG1.pdf |