창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN6R5-30MLDX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PSMN6R5-30MLD | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 65A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 817pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 51W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-1210, 8-LFPAK33(5리드) | |
공급 장치 패키지 | LFPAK33 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 568-12474-2 934068066115 PSMN6R5-30MLD,115 PSMN6R5-30MLDX-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PSMN6R5-30MLDX | |
관련 링크 | PSMN6R5-, PSMN6R5-30MLDX 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | RD 2A | DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL | RD 2A.pdf | |
![]() | CR0402-FX-1102GLF | RES SMD 11K OHM 1% 1/16W 0402 | CR0402-FX-1102GLF.pdf | |
![]() | CMF555K3600BHRE | RES 5.36K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF555K3600BHRE.pdf | |
![]() | PMB2850E | PMB2850E INFINEON BGA | PMB2850E.pdf | |
![]() | NACEW102M6.3V8X10.5TR13F | NACEW102M6.3V8X10.5TR13F NIC SMD | NACEW102M6.3V8X10.5TR13F.pdf | |
![]() | TC55257DFT1-85L | TC55257DFT1-85L TOSHIBA TSSOP | TC55257DFT1-85L.pdf | |
![]() | QCMS-2998 | QCMS-2998 AVAGO DIP7 | QCMS-2998.pdf | |
![]() | 2SK2903-01M | 2SK2903-01M FUJI SMD or Through Hole | 2SK2903-01M.pdf | |
![]() | AD7510D1KN | AD7510D1KN AD DIP20 | AD7510D1KN.pdf | |
![]() | 3W0.47OHM | 3W0.47OHM ORIGINAL SMD or Through Hole | 3W0.47OHM.pdf | |
![]() | PDK82C13-D | PDK82C13-D PADAUK DIP20 | PDK82C13-D.pdf | |
![]() | 600F5R6AT200T | 600F5R6AT200T ATC SMD | 600F5R6AT200T.pdf |