창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN6R5-25YLC,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PSMN6R5-25YLC | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 12/Jan/2015 Leadframe Supplier Add 13/Jun/2016 | |
| PCN 포장 | Leader/Trailer Update 03/Apr/2015 Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 64A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.95V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1093pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 48W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
| 공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 568-7588-2 934066017115 PSMN6R525YLC115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN6R5-25YLC,115 | |
| 관련 링크 | PSMN6R5-25, PSMN6R5-25YLC,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 0273004.H | FUSE BOARD MNT 4A 125VAC/VDC RAD | 0273004.H.pdf | |
![]() | MC-406 32.7680K-E0: PURE SN | 32.768kHz ±20ppm 수정 6pF 50k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MC-406 32.7680K-E0: PURE SN.pdf | |
![]() | 13F-66 | 13F-66 HWS SMD or Through Hole | 13F-66.pdf | |
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![]() | BAS21UE6327 | BAS21UE6327 INFINEON SMD or Through Hole | BAS21UE6327.pdf | |
![]() | UP6162ASAC | UP6162ASAC UPI SOP14 | UP6162ASAC.pdf | |
![]() | AZ7500C | AZ7500C BCD SMD or Through Hole | AZ7500C.pdf | |
![]() | B08J | B08J NO SMD or Through Hole | B08J.pdf | |
![]() | FA5S016HP1 | FA5S016HP1 JAE() SMD or Through Hole | FA5S016HP1.pdf |