NXP Semiconductors PSMN6R1-30YLDX

PSMN6R1-30YLDX
제조업체 부품 번호
PSMN6R1-30YLDX
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK
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내부 부품 번호EIS-PSMN6R1-30YLDX
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PSMN6R1-30YLD
PCN 조립/원산지Wafer Fab Site Transfer 24/Aug/2015
Additional Frame Supplier 13/Jun/2016
PCN 포장Leader/Trailer Update 03/Apr/2015
Lighter Reel Update 29/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C66A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs6m옴 @ 15A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs13.6nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds817pF @ 15V
전력 - 최대47W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
공급 장치 패키지LFPAK, 전원-SO8
표준 포장 1,500
다른 이름568-11434-2
934067798115
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)PSMN6R1-30YLDX
관련 링크PSMN6R1-, PSMN6R1-30YLDX 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
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