창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN4R3-80ES,127 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PSMN4R3-80ES | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 111nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8161pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 306W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 568-6708 568-6708-5 568-6708-ND 934065164127 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PSMN4R3-80ES,127 | |
관련 링크 | PSMN4R3-8, PSMN4R3-80ES,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | GL143F33CET | 14.31818MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL143F33CET.pdf | |
![]() | RG2012N-304-W-T1 | RES SMD 300K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-304-W-T1.pdf | |
![]() | AC0402FR-075R6L | RES SMD 5.6 OHM 1% 1/16W 0402 | AC0402FR-075R6L.pdf | |
![]() | PCT388T | PCT388T Pctel QFP | PCT388T.pdf | |
![]() | 731R950 | 731R950 ORIGINAL SOP | 731R950.pdf | |
![]() | LH5347WS | LH5347WS SHARP SOP | LH5347WS.pdf | |
![]() | 74ALS161BN | 74ALS161BN TI DIP | 74ALS161BN.pdf | |
![]() | X25057M-2.7T1-X | X25057M-2.7T1-X XICOR TSOP8 | X25057M-2.7T1-X.pdf | |
![]() | BZV49C24 | BZV49C24 DIODES SOT89 | BZV49C24.pdf | |
![]() | MAX3232EEUP-T | MAX3232EEUP-T MAXIM SMD or Through Hole | MAX3232EEUP-T.pdf | |
![]() | N82S162N | N82S162N SIG DIP-16 | N82S162N.pdf | |
![]() | UA3011HC | UA3011HC F TO99 | UA3011HC.pdf |