창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN4R3-100ES,127 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PSMN4R3-100ES | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9900pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 338W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 568-8596-5 934066116127 PSMN4R3100ES127 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PSMN4R3-100ES,127 | |
관련 링크 | PSMN4R3-10, PSMN4R3-100ES,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | DP16H1212A20F | DP16 HOR 12P 12DET 20F M9*5MM | DP16H1212A20F.pdf | |
![]() | S1918A/B | S1918A/B INFINEON HSSOP | S1918A/B.pdf | |
![]() | 10K121 | 10K121 ORIGINAL SMD or Through Hole | 10K121.pdf | |
![]() | P523-4 | P523-4 TOS DIP-4 | P523-4.pdf | |
![]() | MSKW48S33UW4 | MSKW48S33UW4 WALL SMD or Through Hole | MSKW48S33UW4.pdf | |
![]() | CFR05ARC183KR | CFR05ARC183KR EC SMD or Through Hole | CFR05ARC183KR.pdf | |
![]() | MMD-12CE-R82M-V1 | MMD-12CE-R82M-V1 MAGLAYERS SMD | MMD-12CE-R82M-V1.pdf | |
![]() | DS750033A4 | DS750033A4 DALLAS SOP8 | DS750033A4.pdf | |
![]() | HG37-010-AB-00 | HG37-010-AB-00 ORIGINAL SMD or Through Hole | HG37-010-AB-00.pdf | |
![]() | 470KD25 | 470KD25 RUILON DIP | 470KD25.pdf | |
![]() | TAJN106K025RDA | TAJN106K025RDA AVX SMD or Through Hole | TAJN106K025RDA.pdf | |
![]() | GU073-5P-SD-E1500 | GU073-5P-SD-E1500 LSCABLE SMD or Through Hole | GU073-5P-SD-E1500.pdf |