창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN4R2-60PLQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 면제 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PSMN4R2-60PLQ | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 151nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8533pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 263W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 568-10167-5 934067502127 PSMN4R260PLQ | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN4R2-60PLQ | |
| 관련 링크 | PSMN4R2, PSMN4R2-60PLQ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | cdr01bp101bjsm | cdr01bp101bjsm AVX-CPPM/CBPBDC SMD or Through Hole | cdr01bp101bjsm.pdf | |
![]() | SA208ZK | SA208ZK LT null | SA208ZK.pdf | |
![]() | ICE1724-0230CD | ICE1724-0230CD ORIGINAL SMD or Through Hole | ICE1724-0230CD.pdf | |
![]() | 40HFL80 | 40HFL80 IR DO-5 | 40HFL80.pdf | |
![]() | MCB1608+S601EA | MCB1608+S601EA Etroni 06 03 | MCB1608+S601EA.pdf | |
![]() | KPJ-2535-4-SMT | KPJ-2535-4-SMT KOREANA SMD or Through Hole | KPJ-2535-4-SMT.pdf | |
![]() | 1N4148W-T(MCC) | 1N4148W-T(MCC) MCC SMD or Through Hole | 1N4148W-T(MCC).pdf | |
![]() | TNY378PN | TNY378PN POWER DIP-7 | TNY378PN.pdf | |
![]() | TM1626B | TM1626B TM QFP44 | TM1626B.pdf | |
![]() | NSC858N-41 | NSC858N-41 NS DIP-28 | NSC858N-41.pdf | |
![]() | CPH6605-TL-E TEL:82766440 | CPH6605-TL-E TEL:82766440 SANYO SMD or Through Hole | CPH6605-TL-E TEL:82766440.pdf | |
![]() | WD11C00C-JU ( 22-02 | WD11C00C-JU ( 22-02 WDC PLCC | WD11C00C-JU ( 22-02.pdf |