창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN4R0-40YS,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PSMN4R0-40YS | |
주요제품 | LFPAK Trench 6 MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 12/May/2014 Leadframe Supplier Add 13/Jun/2016 | |
PCN 포장 | Leader/Trailer Update 03/Apr/2015 Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1503 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2410pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 106W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 568-4905-2 934063937115 PSMN4R040YS115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PSMN4R0-40YS,115 | |
관련 링크 | PSMN4R0-4, PSMN4R0-40YS,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
MALREKB00DD268L00K | 68µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 1.56 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | MALREKB00DD268L00K.pdf | ||
SOMC1603150RGEA | RES ARRAY 8 RES 150 OHM 16SOIC | SOMC1603150RGEA.pdf | ||
UA74572 | UA74572 S DIP | UA74572.pdf | ||
EX128-TQ64 | EX128-TQ64 Actel QFP64 | EX128-TQ64.pdf | ||
GD62H2016MI-55P | GD62H2016MI-55P GIGADEVICE TSOP-44 | GD62H2016MI-55P.pdf | ||
GY-34MU40B315BMC-AB-M | GY-34MU40B315BMC-AB-M ORIGINAL SMD or Through Hole | GY-34MU40B315BMC-AB-M.pdf | ||
MTT-3213 | MTT-3213 ORIGINAL SMD or Through Hole | MTT-3213.pdf | ||
ROYAL-OSD886-03 | ROYAL-OSD886-03 PHI DIP | ROYAL-OSD886-03.pdf | ||
M52760 | M52760 ORIGINAL DIP | M52760.pdf |