홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » PSMN3R4-30PL,127

NXP Semiconductors PSMN3R4-30PL,127

PSMN3R4-30PL,127
제조업체 부품 번호
PSMN3R4-30PL,127
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V TO220AB
데이터 시트 다운로드
다운로드
PSMN3R4-30PL,127 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 665.51300
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PSMN3R4-30PL,127 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PSMN3R4-30PL,127 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PSMN3R4-30PL,127가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PSMN3R4-30PL,127 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PSMN3R4-30PL,127 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PSMN3R4-30PL,127
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PSMN3R4-30PL
PCN 조립/원산지Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.4m옴 @ 10A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.15V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs64nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3907pF @ 12V
전력 - 최대114W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름568-7514-5
934064004127
PSMN3R4-30PL,127-ND
PSMN3R430PL127
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PSMN3R4-30PL,127
관련 링크PSMN3R4-3, PSMN3R4-30PL,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PSMN3R4-30PL,127 의 관련 제품
AC/DC CONVERTER 24.7V 500W LXN1601-6.pdf
TPS3707-30DGNG4 N/A MSOP8 TPS3707-30DGNG4.pdf
DS3651N NS SMD or Through Hole DS3651N.pdf
ICX642BKA SONY DIP ICX642BKA.pdf
51D324T TI SOP20 51D324T.pdf
2SK1971 ORIGINAL TO-3P 2SK1971.pdf
DF18C-70DS-0.4V(51) HRS SMD or Through Hole DF18C-70DS-0.4V(51).pdf
LK-2125-R12KTK KEMET SMD or Through Hole LK-2125-R12KTK.pdf
TSS4B03G TSC SMD or Through Hole TSS4B03G.pdf
AMP174053-2 AMP SMD or Through Hole AMP174053-2.pdf
85264500PL M SMD or Through Hole 85264500PL.pdf