창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN3R3-60PLQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 면제 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PSMN3R3-60PL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10115pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 293W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 568-10166-5 934067501127 PSMN3R360PLQ | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN3R3-60PLQ | |
| 관련 링크 | PSMN3R3, PSMN3R3-60PLQ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1535C1HR40BDD5D | 0.40pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1535C1HR40BDD5D.pdf | |
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![]() | EC381R-2204-11P | EC381R-2204-11P ORIGINAL SMD or Through Hole | EC381R-2204-11P.pdf | |
![]() | VN1210L | VN1210L SI TO-92 | VN1210L.pdf | |
![]() | 863025S | 863025S SOURIAU Call | 863025S.pdf | |
![]() | TE7782PF | TE7782PF TEL SMD or Through Hole | TE7782PF.pdf | |
![]() | CHO/23 | CHO/23 TOSHIBA SOT-23 | CHO/23.pdf | |
![]() | 190GKTAC | 190GKTAC ORIGINAL SMD or Through Hole | 190GKTAC.pdf | |
![]() | MSP2006-AC | MSP2006-AC PMC BGA | MSP2006-AC.pdf |