NXP Semiconductors PSMN3R0-30YLDX

PSMN3R0-30YLDX
제조업체 부품 번호
PSMN3R0-30YLDX
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
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내부 부품 번호EIS-PSMN3R0-30YLDX
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PSMN3R0-30YLD
주요제품NextPowerS3MOSFETs
PCN 조립/원산지Wafer Fab Site Transfer 24/Aug/2015
Additional Frame Supplier 13/Jun/2016
PCN 포장Lighter Reel Update 29/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.1m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs46.4nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2939pF @ 15V
전력 - 최대91W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
공급 장치 패키지LFPAK, 전원-SO8
표준 포장 1,500
다른 이름568-11379-2
934067966115
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PSMN3R0-30YLDX
관련 링크PSMN3R0-, PSMN3R0-30YLDX 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
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19.2MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable ASTMHTA-19.200MHZ-ZR-E-T.pdf
4.7µH Unshielded Molded Inductor 775mA 210 mOhm Max Axial 1840R-22F.pdf
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XC4085XLPG559CMN XILINX dip XC4085XLPG559CMN.pdf
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