창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN2R2-25YLC,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PSMN2R2-25YLC | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 12/Jan/2015 Leadframe Supplier Add 13/Jun/2016 | |
| PCN 포장 | Leader/Trailer Update 03/Apr/2015 Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.95V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2542pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 106W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
| 공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 568-6729-2 934065199115 PSMN2R225YLC115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN2R2-25YLC,115 | |
| 관련 링크 | PSMN2R2-25, PSMN2R2-25YLC,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 10E1C8.25 | FUSE CRTRDGE 10A 8.25KVAC NONSTD | 10E1C8.25.pdf | |
![]() | DSC557-0344FI0 | 100MHz HCSL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 60mA (Typ) Enable/Disable | DSC557-0344FI0.pdf | |
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![]() | RCS040268R1FKED | RES SMD 68.1 OHM 1% 1/5W 0402 | RCS040268R1FKED.pdf | |
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![]() | STV5730-1 | STV5730-1 ST SOP | STV5730-1.pdf | |
![]() | HW19DG100AG | HW19DG100AG Toshiba SMD or Through Hole | HW19DG100AG.pdf | |
![]() | 6DI15C-060 | 6DI15C-060 FUJI SMD or Through Hole | 6DI15C-060.pdf | |
![]() | IRFR3505PBF-IR | IRFR3505PBF-IR ORIGINAL SMD or Through Hole | IRFR3505PBF-IR.pdf | |
![]() | 35YXF2200M-EFC-GC16*31.5 | 35YXF2200M-EFC-GC16*31.5 RBY SMD or Through Hole | 35YXF2200M-EFC-GC16*31.5.pdf | |
![]() | TX5416PGE | TX5416PGE TI SMD or Through Hole | TX5416PGE.pdf |