창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN2R1-60CSJ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | 934067536118 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | - | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
FET 유형 | - | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | - | |
패키지/케이스 | - | |
공급 장치 패키지 | - | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PSMN2R1-60CSJ | |
관련 링크 | PSMN2R1, PSMN2R1-60CSJ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | B43888F2336M | 33µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 10 Ohm @ 120Hz | B43888F2336M.pdf | |
![]() | H472K47X7RL63J5R | 4700pF 500V 세라믹 커패시터 X7R 방사형, 디스크 | H472K47X7RL63J5R.pdf | |
![]() | 06031A3R9B4T2A | 3.9pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A3R9B4T2A.pdf | |
![]() | RM 1CV1 | DIODE GEN PURP 1KV 800MA AXIAL | RM 1CV1.pdf | |
![]() | AT0603CRD07215KL | RES SMD 215KOHM 0.25% 1/10W 0603 | AT0603CRD07215KL.pdf | |
![]() | PTN1206E3402BST1 | RES SMD 34K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E3402BST1.pdf | |
![]() | SMAJP4KE9.1Ae3/TR13 | SMAJP4KE9.1Ae3/TR13 Microsemi DO-214AC | SMAJP4KE9.1Ae3/TR13.pdf | |
![]() | TE28F640P30B85ES | TE28F640P30B85ES intel TSOP | TE28F640P30B85ES.pdf | |
![]() | MAX3664E/D | MAX3664E/D MAX SMD or Through Hole | MAX3664E/D.pdf | |
![]() | SN74TLC271BID | SN74TLC271BID TMS SOIC | SN74TLC271BID.pdf | |
![]() | SAB82538H-10 V2.2 | SAB82538H-10 V2.2 SIEMEMS QFP | SAB82538H-10 V2.2.pdf | |
![]() | M224FGN 106.250MHZ | M224FGN 106.250MHZ ORIGINAL SMD | M224FGN 106.250MHZ.pdf |