창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN2R1-60CSJ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | 934067536118 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | - | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| FET 유형 | - | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | - | |
| 패키지/케이스 | - | |
| 공급 장치 패키지 | - | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN2R1-60CSJ | |
| 관련 링크 | PSMN2R1, PSMN2R1-60CSJ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | ES1PBHM3/85A | DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA | ES1PBHM3/85A.pdf | |
![]() | RCA1A03 | RCA1A03 HAR TO-5 | RCA1A03.pdf | |
![]() | LVDS10832T | LVDS10832T MTS SOIC | LVDS10832T.pdf | |
![]() | UPD789012GT-519 | UPD789012GT-519 NEC SOP | UPD789012GT-519.pdf | |
![]() | MCR 01MZP J2R2 | MCR 01MZP J2R2 ROHM SMD or Through Hole | MCR 01MZP J2R2.pdf | |
![]() | 30LV0064-PFTN | 30LV0064-PFTN FUJITSU SOP | 30LV0064-PFTN.pdf | |
![]() | S0406MH | S0406MH ST TO-220 | S0406MH.pdf | |
![]() | 74AC541MTCX-NL | 74AC541MTCX-NL FAIRCHILD SMD or Through Hole | 74AC541MTCX-NL.pdf | |
![]() | HCNW-1506 | HCNW-1506 Agilent DIP-8 | HCNW-1506.pdf | |
![]() | ACR22U08LG | ACR22U08LG DYNEX SMD or Through Hole | ACR22U08LG.pdf | |
![]() | 39-51-3103 | 39-51-3103 MOLEX SMD or Through Hole | 39-51-3103.pdf | |
![]() | 51R/0805 | 51R/0805 ORIGINAL SMD or Through Hole | 51R/0805.pdf |