창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN2R0-60PS,127 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PSMN2R0-60PS | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 137nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9997pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 338W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 568-6712 568-6712-5 568-6712-ND 934065168127 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN2R0-60PS,127 | |
| 관련 링크 | PSMN2R0-6, PSMN2R0-60PS,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | BFC238333113 | 0.011µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC238333113.pdf | |
![]() | STPS30M80CT | DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V TO220AB | STPS30M80CT.pdf | |
![]() | DS1377U | DS1377U DALLAS MSOP8 | DS1377U.pdf | |
![]() | RF1K49157-L530 | RF1K49157-L530 INTERSIL SMD or Through Hole | RF1K49157-L530.pdf | |
![]() | 0603AD-010J-01 | 0603AD-010J-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603AD-010J-01.pdf | |
![]() | OP4177AR-REEL | OP4177AR-REEL AD S N | OP4177AR-REEL.pdf | |
![]() | RXB3-434MHz | RXB3-434MHz KP SMD or Through Hole | RXB3-434MHz.pdf | |
![]() | OV3660 | OV3660 OV CSP | OV3660.pdf | |
![]() | 3DG33C | 3DG33C CHINA SMD or Through Hole | 3DG33C.pdf | |
![]() | 1N2428 | 1N2428 microsemi SMD or Through Hole | 1N2428.pdf | |
![]() | DG412DY-1 | DG412DY-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | DG412DY-1.pdf | |
![]() | F530L 2.0000 | F530L 2.0000 ORIGINAL SMD | F530L 2.0000.pdf |