홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » PSMN2R0-60ES,127

NXP Semiconductors PSMN2R0-60ES,127

PSMN2R0-60ES,127
제조업체 부품 번호
PSMN2R0-60ES,127
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
PSMN2R0-60ES,127 가격 및 조달

가능 수량

10554 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,971.89000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PSMN2R0-60ES,127 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PSMN2R0-60ES,127 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PSMN2R0-60ES,127가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PSMN2R0-60ES,127 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PSMN2R0-60ES,127 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PSMN2R0-60ES,127
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PSMN2R0-60ES
PCN 조립/원산지Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C120A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.2m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs137nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds9997pF @ 30V
전력 - 최대338W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA
공급 장치 패키지I2PAK
표준 포장 50
다른 이름568-6709
568-6709-5
568-6709-ND
934065162127
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PSMN2R0-60ES,127
관련 링크PSMN2R0-6, PSMN2R0-60ES,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PSMN2R0-60ES,127 의 관련 제품
T4033NL PULSE SMD or Through Hole T4033NL.pdf
OB431BEPA LITEON SOT23-3 OB431BEPA.pdf
CP3170 MOT SMD or Through Hole CP3170.pdf
UPC393G2-E1.. NEC SOP UPC393G2-E1...pdf
TMDSCCS5000-1 TIS Call TMDSCCS5000-1.pdf
UR133G-3.3V-C UTC SOT-89 UR133G-3.3V-C.pdf
STTH3R02/3A200V ORIGINAL SMD or Through Hole STTH3R02/3A200V.pdf
PRN10116N-1001G CMD SOP-16 PRN10116N-1001G.pdf
FES3D FAGOR DO214ABSMC FES3D.pdf
IRF233 ORIGINAL SMD or Through Hole IRF233.pdf
SW-229 M/A-COM SMD or Through Hole SW-229.pdf