창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN2R0-25MLDX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 면제 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PSMN2R0-25MLD | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-channel, 쇼트키, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.27 m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34.4nC @ 10V | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2490pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 74W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-1210, 8-LFPAK33(5리드) | |
공급 장치 패키지 | LFPAK33 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 568-12933-2 934069915115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PSMN2R0-25MLDX | |
관련 링크 | PSMN2R0-, PSMN2R0-25MLDX 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
EEA-FC1V120B | 12µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | EEA-FC1V120B.pdf | ||
VJ1206Y271JBAAT4X | 270pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206Y271JBAAT4X.pdf | ||
06035A330FA16A | 33pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035A330FA16A.pdf | ||
MC74AC540DTR2 | MC74AC540DTR2 ON TSSOP-20 | MC74AC540DTR2.pdf | ||
54F534/B2CJC | 54F534/B2CJC ORIGINAL SMD or Through Hole | 54F534/B2CJC.pdf | ||
ST11FR60P | ST11FR60P SEMICON SMD or Through Hole | ST11FR60P.pdf | ||
M1805JMSB | M1805JMSB ORIGINAL BGA | M1805JMSB.pdf | ||
MN103SG7NNL | MN103SG7NNL ORIGINAL BGA | MN103SG7NNL.pdf | ||
PT5127E23F-Q | PT5127E23F-Q PT SOT23-6 | PT5127E23F-Q.pdf | ||
MLR1608M82NJTA1H | MLR1608M82NJTA1H TDK SMD or Through Hole | MLR1608M82NJTA1H.pdf | ||
09-97-470003 | 09-97-470003 BINDER SMD or Through Hole | 09-97-470003.pdf | ||
WD15-12S09 | WD15-12S09 MAX SMD or Through Hole | WD15-12S09.pdf |