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NXP Semiconductors PSMN1R8-30PL,127

PSMN1R8-30PL,127
제조업체 부품 번호
PSMN1R8-30PL,127
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V TO220AB
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내부 부품 번호EIS-PSMN1R8-30PL,127
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PSMN1R8-30PL
PCN 조립/원산지Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.8m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.15V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs170nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds10180pF @ 12V
전력 - 최대270W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름568-5234
568-5234-5
568-5234-ND
934064002127
PSMN1R830PL127
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PSMN1R8-30PL,127
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