창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN1R6-40YLC:115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PSMN1R6-40YLC | |
PCN 포장 | Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.55m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.95V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 126nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7790pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 288W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-1023, 4-LFPAK | |
공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 568-11633-2 934096952115 PSMN1R6-40YLC:115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PSMN1R6-40YLC:115 | |
관련 링크 | PSMN1R6-40, PSMN1R6-40YLC:115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
ACZRW4689-G | DIODE ZENER 5.1V 350MW SOD123FL | ACZRW4689-G.pdf | ||
LZC-C0UA00-00U5 | Ultraviolet (UV) Emitter 395nm 44V 1A 95° Star Array | LZC-C0UA00-00U5.pdf | ||
2020R-04H | 150nH Unshielded Toroidal Inductor 1.8A 60 mOhm Max Radial | 2020R-04H.pdf | ||
RG3216P-2700-B-T5 | RES SMD 270 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-2700-B-T5.pdf | ||
CPF1206B6K49E1 | RES SMD 6.49K OHM 0.1% 1/8W 1206 | CPF1206B6K49E1.pdf | ||
E3Z-T61A 5M | PNP PREWIRED 5M | E3Z-T61A 5M.pdf | ||
TDA5311T | TDA5311T PHILIPS SOP28 | TDA5311T.pdf | ||
104IT-52Z | 104IT-52Z SEMITEC SMD or Through Hole | 104IT-52Z.pdf | ||
502R30N150JV37SC | 502R30N150JV37SC JOHANSON SMD | 502R30N150JV37SC.pdf | ||
550602T350DF2B | 550602T350DF2B CDE DIP | 550602T350DF2B.pdf | ||
L7104SYC | L7104SYC KINGBRIGHT DIP | L7104SYC.pdf | ||
1.5FMCJ16CA-T | 1.5FMCJ16CA-T RECTRON SMC DO-214AB | 1.5FMCJ16CA-T.pdf |