창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN1R5-40ES,127 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PSMN1R5-40ES | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 136nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9710pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 338W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 568-6717 568-6717-5 568-6717-ND 934065161127 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PSMN1R5-40ES,127 | |
관련 링크 | PSMN1R5-4, PSMN1R5-40ES,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
AD797BRZ. | AD797BRZ. AD SOP-8 | AD797BRZ..pdf | ||
MB87M3182 | MB87M3182 FOUNDRY BGA | MB87M3182.pdf | ||
VE-50VR47M | VE-50VR47M ORIGINAL 4 5.3 | VE-50VR47M.pdf | ||
M95080-WMN | M95080-WMN ST SOP8 | M95080-WMN.pdf | ||
NH82801HBM QN23ES | NH82801HBM QN23ES INTEL BGA | NH82801HBM QN23ES.pdf | ||
MT1126 | MT1126 M SOP | MT1126.pdf | ||
82.503-1 | 82.503-1 ST SOP | 82.503-1.pdf | ||
D1803S | D1803S UTC 251-252-223 | D1803S.pdf | ||
DS2016R17 | DS2016R17 ORIGINAL SMD24 | DS2016R17.pdf | ||
MBR100-7 | MBR100-7 ORIGINAL TO-92 | MBR100-7.pdf | ||
VNQ5E050 | VNQ5E050 STM SOP-24 | VNQ5E050.pdf | ||
DF9B-13P-1V(69) | DF9B-13P-1V(69) Hirose SMD or Through Hole | DF9B-13P-1V(69).pdf |