창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN1R1-40BS,118 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PSMN1R1-40BS | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014 Alternative Leadframe Supplier 17/Jun/2014 | |
| PCN 포장 | Reel Trailer Update 08/May/2015 Reel Trailer Revision 14/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 136nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9710pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 306W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | 568-9475-2 934065174118 PSMN1R140BS118 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN1R1-40BS,118 | |
| 관련 링크 | PSMN1R1-4, PSMN1R1-40BS,118 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | PDTD123YQAZ | TRANS PREBIAS NPN 3DFN | PDTD123YQAZ.pdf | |
![]() | PWS8030T 2R2NJGJ | PWS8030T 2R2NJGJ ORIGINAL SMD or Through Hole | PWS8030T 2R2NJGJ.pdf | |
![]() | PD0066F | PD0066F PIONEER DIP-64P | PD0066F.pdf | |
![]() | adc0848v | adc0848v ns plcc | adc0848v.pdf | |
![]() | OY-5003A | OY-5003A OY SMD or Through Hole | OY-5003A.pdf | |
![]() | RU-121515 | RU-121515 RECOM SMD or Through Hole | RU-121515.pdf | |
![]() | R3131N33E(A/C)-TR | R3131N33E(A/C)-TR RICOH SOT23 | R3131N33E(A/C)-TR.pdf | |
![]() | 7812K | 7812K TESAR CAN | 7812K.pdf | |
![]() | TLP76333DBVR | TLP76333DBVR TI SMD or Through Hole | TLP76333DBVR.pdf | |
![]() | RP231026 | RP231026 ATARI DIP28P | RP231026.pdf | |
![]() | B32654 | B32654 EPCOS DIP | B32654.pdf | |
![]() | WD10C20JH-05 | WD10C20JH-05 WDC PLCC-28 | WD10C20JH-05.pdf |