NXP Semiconductors PSMN1R0-30YLDX

PSMN1R0-30YLDX
제조업체 부품 번호
PSMN1R0-30YLDX
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
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내부 부품 번호EIS-PSMN1R0-30YLDX
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PSMN1R0-30YLD
PCN 설계/사양New Clip Design 16/Mar/2016
PCN 조립/원산지Wafer Fab Site Transfer 04/Feb/2015
Wafer Fab Site Transfer 24/Aug/2015
Leadframe Supplier Add 13/Jun/2016
PCN 포장Lighter Reel Update 29/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.02m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 2mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs121.35nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds8598pF @ 15V
전력 - 최대238W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
공급 장치 패키지LFPAK, 전원-SO8
표준 포장 1,500
다른 이름568-11555-2
934068234115
PSMN1R0-30YLDX-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)PSMN1R0-30YLDX
관련 링크PSMN1R0-, PSMN1R0-30YLDX 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
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10MHz ±30ppm 수정 16pF 80옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US AT-10.000MAHI-T.pdf
RES SMD 12.7K OHM 0.5% 1/4W 1206 CRCW120612K7DHEAP.pdf
RES ARRAY 7 RES 82 OHM 8SIP 77081820P.pdf
FQPF8M60C FSC TO-220F FQPF8M60C.pdf
F6CE-1G7650-L2TA-W FUJUTSU MLFP F6CE-1G7650-L2TA-W.pdf
APT2X60D60 APT SMD or Through Hole APT2X60D60.pdf
KM62V256CLTG-7L SEC TSOP KM62V256CLTG-7L.pdf
S-80722AN /DK ORIGINAL SOT-89 S-80722AN /DK.pdf
SSF-LXHM250YYD-5V LUMEX ROHS SSF-LXHM250YYD-5V.pdf
ELXV800ESS180MFB5D NIPPON DIP ELXV800ESS180MFB5D.pdf
BYV28-200 T/B PH SMD or Through Hole BYV28-200 T/B.pdf