창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN130-200D,118 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PSMN130-200D | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 130m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2470pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 568-8114-2 934055761118 PSMN130-200D /T3 PSMN130-200D /T3-ND PSMN130-200D,118-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PSMN130-200D,118 | |
관련 링크 | PSMN130-2, PSMN130-200D,118 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | MC-405 32.7680K-A0:ROHS | 32.768kHz ±20ppm 수정 12.5pF 50k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MC-405 32.7680K-A0:ROHS.pdf | |
![]() | RT0201FRE076K81L | RES SMD 6.81K OHM 1% 1/20W 0201 | RT0201FRE076K81L.pdf | |
![]() | CMF65133K00FHEB | RES 133K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF65133K00FHEB.pdf | |
![]() | 68C68ML-SO13 | 68C68ML-SO13 XR LCC44 | 68C68ML-SO13.pdf | |
![]() | MBRB3060CT | MBRB3060CT Micro D2-PAK | MBRB3060CT.pdf | |
![]() | C420C823M1U5TA | C420C823M1U5TA KEMET DIP | C420C823M1U5TA.pdf | |
![]() | 8MHZ/CSTCR8M00G52-RO | 8MHZ/CSTCR8M00G52-RO MURATA SMD or Through Hole | 8MHZ/CSTCR8M00G52-RO.pdf | |
![]() | UPC1555G2-T2 | UPC1555G2-T2 NEC SOP8 | UPC1555G2-T2.pdf | |
![]() | C1406 | C1406 ORIGINAL DIP | C1406.pdf | |
![]() | IXGP10N100 | IXGP10N100 IXYS TO-220 | IXGP10N100.pdf | |
![]() | LQG18HNR10J00(LQG11AR10J00T1M00-01) | LQG18HNR10J00(LQG11AR10J00T1M00-01) MURATA 0603-R10J | LQG18HNR10J00(LQG11AR10J00T1M00-01).pdf |