홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » PSMN070-200P,127

NXP Semiconductors PSMN070-200P,127

PSMN070-200P,127
제조업체 부품 번호
PSMN070-200P,127
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB
데이터 시트 다운로드
다운로드
PSMN070-200P,127 가격 및 조달

가능 수량

12736 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,648.18400
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PSMN070-200P,127 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PSMN070-200P,127 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PSMN070-200P,127가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PSMN070-200P,127 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PSMN070-200P,127 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PSMN070-200P,127
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PSMN070-200P
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열TrenchMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C35A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs70m옴 @ 17A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs77nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4570pF @ 25V
전력 - 최대250W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름568-5779
568-5779-5
568-5779-ND
934055718127
PSMN070-200P
PSMN070-200P,127-ND
PSMN070-200P-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PSMN070-200P,127
관련 링크PSMN070-2, PSMN070-200P,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PSMN070-200P,127 의 관련 제품
270pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) UMK105CG271JVHF.pdf
RES SMD 2.74K OHM 1% 1/10W 0603 CRCW06032K74FKEC.pdf
JAPANM6389 ORIGINAL TSOP JAPANM6389.pdf
PT5109E23E-18 ORIGINAL SMD or Through Hole PT5109E23E-18.pdf
ST9034 ORIGINAL SOP8 ST9034.pdf
DS1817R DALLAS SOT-23 DS1817R.pdf
GD74HC139G GOLDST SMD or Through Hole GD74HC139G.pdf
S524A60X51-SCT0 SAMSUNG SMD or Through Hole S524A60X51-SCT0.pdf
GL-DL-T10-120N-01 ORIGINAL SMD or Through Hole GL-DL-T10-120N-01.pdf
MTVA0100N03G EMC SMD or Through Hole MTVA0100N03G.pdf