창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN070-200P,127 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PSMN070-200P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | TrenchMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 77nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4570pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 568-5779 568-5779-5 568-5779-ND 934055718127 PSMN070-200P PSMN070-200P,127-ND PSMN070-200P-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN070-200P,127 | |
| 관련 링크 | PSMN070-2, PSMN070-200P,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
| -2.2.jpg) | CGA6M3X7R1C106M200AB | 10µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CGA6M3X7R1C106M200AB.pdf | |
|  | 1.5KE13A-E3/51 | TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC AXIAL | 1.5KE13A-E3/51.pdf | |
| -3.20-mm-x-2.50-mm.jpg) | DSC1033CI1-011.2896 | 11.2896MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 3mA (Typ) Standby (Power Down) | DSC1033CI1-011.2896.pdf | |
|  | E2B-M30LS15-WP-B1 2M | Inductive Proximity Sensor 0.591" (15mm) IP67 Cylinder, Threaded - M30 | E2B-M30LS15-WP-B1 2M.pdf | |
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|  | CM9N4148W | CM9N4148W ORIGINAL SOD123 | CM9N4148W.pdf | |
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