창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN030-150P,127 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PSMN030-150P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | TrenchMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 55.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3680pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 568-5776 568-5776-5 568-5776-ND 934056420127 PSMN030-150P PSMN030-150P,127-ND PSMN030-150P-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN030-150P,127 | |
| 관련 링크 | PSMN030-1, PSMN030-150P,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | GRT32EC81A476ME13L | 47µF 10V 세라믹 커패시터 X6S 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | GRT32EC81A476ME13L.pdf | |
![]() | LD035A8R2CAB2A | 8.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | LD035A8R2CAB2A.pdf | |
![]() | SR201A101GAATR1 | 100pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR201A101GAATR1.pdf | |
![]() | MIC3230YTSE | LED 드라이버 IC 1 출력 DC DC 컨트롤러 스텝업(부스트) PWM 조광 16-TSSOP-EP | MIC3230YTSE.pdf | |
![]() | AR24-HZL | AR24-HZL ASSMANN ORIGINAL | AR24-HZL.pdf | |
![]() | BCN1/8-4D-104JT | BCN1/8-4D-104JT ORIGINAL SMD or Through Hole | BCN1/8-4D-104JT.pdf | |
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![]() | SBLB10L30 | SBLB10L30 GS TO-263 | SBLB10L30.pdf | |
![]() | ISPLSI2064-80LT100C | ISPLSI2064-80LT100C Lattice QFP | ISPLSI2064-80LT100C.pdf | |
![]() | AXK8L34117G | AXK8L34117G NAIS 34P-0.4mm | AXK8L34117G.pdf | |
![]() | HCPL3501 | HCPL3501 AVAGO DIPSOP8 | HCPL3501.pdf | |
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