창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN021-100YLX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PSMN021-100YL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 49A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21.5m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4640pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 147W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669 | |
공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 934069906115 PSMN021-100YL,115 PSMN021-100YLX-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PSMN021-100YLX | |
관련 링크 | PSMN021-, PSMN021-100YLX 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | 37306300430 | FUSE BOARD MNT 630MA 250VAC RAD | 37306300430.pdf | |
![]() | CC2540F256RHAR | IC RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v4.0 2.4GHz 40-VFQFN Exposed Pad | CC2540F256RHAR.pdf | |
![]() | PES18C32APC | PHOTO SNSR PNP NO ADJ 2M | PES18C32APC.pdf | |
![]() | 25C08UI | 25C08UI CATALYST TSSOP | 25C08UI.pdf | |
![]() | TCM2203BN | TCM2203BN TI DIP28 | TCM2203BN.pdf | |
![]() | A3V28S40ETP-G6, 25K | A3V28S40ETP-G6, 25K zentel SMD or Through Hole | A3V28S40ETP-G6, 25K.pdf | |
![]() | AD5334 | AD5334 ADI SMD or Through Hole | AD5334.pdf | |
![]() | ELE 11-21VGC/TR8 | ELE 11-21VGC/TR8 Everlight SMD or Through Hole | ELE 11-21VGC/TR8.pdf | |
![]() | JWFI2012D150K/0805-15UH | JWFI2012D150K/0805-15UH ORIGINAL SMD or Through Hole | JWFI2012D150K/0805-15UH.pdf | |
![]() | 215RADCGA12F (X800) | 215RADCGA12F (X800) ATi BGA | 215RADCGA12F (X800).pdf | |
![]() | MT8LSDT864LHG-662C3 | MT8LSDT864LHG-662C3 MicronTechnologyInc Tray | MT8LSDT864LHG-662C3.pdf |