창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN015-110P,127 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PSMN015-110P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | TrenchMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 110V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 568-5772 934057141127 PSMN015-110P PSMN015-110P,127-ND PSMN015-110P-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PSMN015-110P,127 | |
관련 링크 | PSMN015-1, PSMN015-110P,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | 416F27023AAR | 27MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27023AAR.pdf | |
![]() | LXT307APA.F4 | LXT307APA.F4 INTEL PLCC-28 | LXT307APA.F4.pdf | |
![]() | 3D7408-S-0.25T/R | 3D7408-S-0.25T/R ORIGINAL SMD or Through Hole | 3D7408-S-0.25T/R.pdf | |
![]() | 572S/C/I | 572S/C/I ORIGINAL SOP3 | 572S/C/I.pdf | |
![]() | TP62726AFG | TP62726AFG TOPRO SOP | TP62726AFG.pdf | |
![]() | LTC1754ES6-3.3/LTGK | LTC1754ES6-3.3/LTGK LINEAR SOT-163 | LTC1754ES6-3.3/LTGK.pdf | |
![]() | PCN10-128P-2.54DS(72) | PCN10-128P-2.54DS(72) HIROSE SMD or Through Hole | PCN10-128P-2.54DS(72).pdf | |
![]() | ISPLSI 2064A-100LT100 | ISPLSI 2064A-100LT100 LATTICE SMD or Through Hole | ISPLSI 2064A-100LT100.pdf | |
![]() | LCMXO25C-4MN0C-3I | LCMXO25C-4MN0C-3I ORIGINAL BGA | LCMXO25C-4MN0C-3I.pdf | |
![]() | 105W5R103K50AT(5ECQJ | 105W5R103K50AT(5ECQJ KYOCERA SMD or Through Hole | 105W5R103K50AT(5ECQJ.pdf | |
![]() | L1A5252 | L1A5252 LSI PLCC-28 | L1A5252.pdf |