홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » PSMN009-100P,127

NXP Semiconductors PSMN009-100P,127

PSMN009-100P,127
제조업체 부품 번호
PSMN009-100P,127
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
데이터 시트 다운로드
다운로드
PSMN009-100P,127 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,445.55840
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PSMN009-100P,127 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PSMN009-100P,127 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PSMN009-100P,127가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PSMN009-100P,127 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PSMN009-100P,127 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PSMN009-100P,127
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PSMN009-100P
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열TrenchMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C75A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.8m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs156nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds8250pF @ 25V
전력 - 최대230W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름568-5770
568-5770-5
568-5770-ND
934057044127
PSMN009-100P
PSMN009-100P,127-ND
PSMN009-100P-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PSMN009-100P,127
관련 링크PSMN009-1, PSMN009-100P,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PSMN009-100P,127 의 관련 제품
RES SMD 11.3 OHM 0.1% 1/16W 0603 RN73C1J11R3BTDF.pdf
RES 2.25K OHM 0.6W 0.01% RADIAL Y00622K25000T14L.pdf
GRM31CF51E106ZA01C MURATA SMD or Through Hole GRM31CF51E106ZA01C.pdf
A3407 ALPHA SOT-23 A3407.pdf
PT5101S89C-33 ORIGINAL SOT-89 PT5101S89C-33.pdf
SK-14D01 DSL SMD or Through Hole SK-14D01.pdf
UGP15K LRC DO-15 UGP15K.pdf
IS62VV25616LL ORIGINAL uBGA(48) IS62VV25616LL.pdf
S25FL032AOLMFI003 N/A NA S25FL032AOLMFI003.pdf
SPX2810M3-L-1.5 SIPEX SMD or Through Hole SPX2810M3-L-1.5.pdf
DDU7F-25 DATADELAY SMD or Through Hole DDU7F-25.pdf