창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN005-75P,127 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PSMN005-75B,75P | |
PCN 부품 상태 변경 | Mult Device Reactivation 4/Jul/2012 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | TrenchMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 165nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8250pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 230W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 934057042127 PSMN005-75P PSMN005-75P-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PSMN005-75P,127 | |
관련 링크 | PSMN005-7, PSMN005-75P,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | 30303150421 | FUSE BRD MNT 315MA 125VAC 63VDC | 30303150421.pdf | |
![]() | BAS70-06W,115 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT323 | BAS70-06W,115.pdf | |
![]() | ESR10EZPF7682 | RES SMD 76.8K OHM 1% 0.4W 0805 | ESR10EZPF7682.pdf | |
![]() | 68C681QA883C | 68C681QA883C XR DIP40 | 68C681QA883C.pdf | |
![]() | MN101C61GNC | MN101C61GNC PANASONIC LQFP80 | MN101C61GNC.pdf | |
![]() | F29C010T-90J | F29C010T-90J SYNCMOS PLCC | F29C010T-90J.pdf | |
![]() | STC11L04E-35I-SOP16 | STC11L04E-35I-SOP16 STC SOP16 | STC11L04E-35I-SOP16.pdf | |
![]() | LTD104C11S | LTD104C11S ORIGINAL SMD or Through Hole | LTD104C11S.pdf | |
![]() | HD63183 | HD63183 HITACHI/RENE QFP | HD63183.pdf | |
![]() | 2SC4116TE85L(T5LSONY | 2SC4116TE85L(T5LSONY TOSHIBA SOT23 | 2SC4116TE85L(T5LSONY.pdf | |
![]() | N232-2202B. | N232-2202B. N/A QFN | N232-2202B..pdf |