창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN003-30P,127 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PSMN003-30B,30P | |
| PCN 부품 상태 변경 | Mult Device Reactivation 4/Jul/2012 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | TrenchMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 230W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 934056787127 PSMN003-30P PSMN003-30P-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN003-30P,127 | |
| 관련 링크 | PSMN003-3, PSMN003-30P,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | RG1005P-1821-W-T5 | RES SMD 1.82K OHM 1/16W 0402 | RG1005P-1821-W-T5.pdf | |
![]() | RN73C2A475KBTDF | RES SMD 475K OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A475KBTDF.pdf | |
![]() | MBB02070C2102FCT00 | RES 21K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C2102FCT00.pdf | |
![]() | 5125-1020 | 5125-1020 MOLEX SMD or Through Hole | 5125-1020.pdf | |
![]() | LP5996SD-3333 | LP5996SD-3333 NS LLP | LP5996SD-3333.pdf | |
![]() | KASJG-2 | KASJG-2 SN SOP | KASJG-2.pdf | |
![]() | LM385BD-2R. | LM385BD-2R. ONSEMI SOP-8 | LM385BD-2R..pdf | |
![]() | MMBT1815 | MMBT1815 ORIGINAL SOT-23 | MMBT1815.pdf | |
![]() | ED111F5-C5 | ED111F5-C5 synapse SMD or Through Hole | ED111F5-C5.pdf | |
![]() | CIC83747AZ | CIC83747AZ CIC PLCC68 | CIC83747AZ.pdf | |
![]() | C2114L | C2114L INTEL CDIP18 | C2114L.pdf |