홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » PQMD3Z

NXP Semiconductors PQMD3Z

PQMD3Z
제조업체 부품 번호
PQMD3Z
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS NPN/PNP RET 6DFN
데이터 시트 다운로드
다운로드
PQMD3Z 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 67.95360
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PQMD3Z 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PQMD3Z 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PQMD3Z가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PQMD3Z 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PQMD3Z 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PQMD3Z
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PQMD3
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열자동차, AEC-Q101
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)10k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)10k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션230MHz, 180MHz
전력 - 최대230mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-XFDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지DFN1010B-6
표준 포장 5,000
다른 이름934069744147
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PQMD3Z
관련 링크PQM, PQMD3Z 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PQMD3Z 의 관련 제품
1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Standby SIT8008AIB1-33S.pdf
1.2µH Unshielded Inductor 604mA 550 mOhm Max 2-SMD 1812R-122H.pdf
RES SMD 140K OHM 0.5% 1/4W 1210 RT1210DRD07140KL.pdf
RES MO 1/2W 68OHM 5% AXL RSMF12JB68R0.pdf
UC3844ADRG4 SOP TI UC3844ADRG4.pdf
S5822C AUK SMC S5822C.pdf
800CF-25 HINODE SMD or Through Hole 800CF-25.pdf
MAX942EUA+T MAXIM SMD or Through Hole MAX942EUA+T.pdf
MC1316PC MOTOROLA SMD or Through Hole MC1316PC.pdf
RURP810 HARRIS SMD or Through Hole RURP810.pdf
LT1831-81LC Ledtech SMD or Through Hole LT1831-81LC.pdf