홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » PQMD10Z

NXP Semiconductors PQMD10Z

PQMD10Z
제조업체 부품 번호
PQMD10Z
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS NPN/PNP RET 6DFN
데이터 시트 다운로드
다운로드
PQMD10Z 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 67.95360
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PQMD10Z 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PQMD10Z 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PQMD10Z가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PQMD10Z 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PQMD10Z 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PQMD10Z
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PQMD10
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열자동차, AEC-Q101
포장*
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic100mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션230MHz, 180MHz
전력 - 최대230mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-XFDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지DFN1010B-6
표준 포장 5,000
다른 이름934069747147
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PQMD10Z
관련 링크PQMD, PQMD10Z 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PQMD10Z 의 관련 제품
MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F APTMC120AM09CT3AG.pdf
68µH Unshielded Molded Inductor 325mA 1.85 Ohm Max Axial 2890-39K.pdf
RES SMD 470 OHM 5% 1/16W 0402 CRCW0402470RJNED.pdf
XDCR SLW 6 IN 1K/0.1% 1/4-28 F56205113.pdf
VT6651 IC SMD or Through Hole VT6651.pdf
EW-306 PLATO SMD or Through Hole EW-306.pdf
V48A24H500A VICOR SMD or Through Hole V48A24H500A.pdf
SCI1812FTR27M AOBA SMD SCI1812FTR27M.pdf
0490-1423 COTO SMD or Through Hole 0490-1423.pdf
NACZ470M35V6.3X6.3TR13F NICCOMPONENTSCORP SMD or Through Hole NACZ470M35V6.3X6.3TR13F.pdf
1SMB5.0 AT3 SMD ON SMD or Through Hole 1SMB5.0 AT3 SMD.pdf
IXGH10N300 IXYS TO-247 IXGH10N300.pdf