창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PMZB600UNEYL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PMZB600UNE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 600mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 620m옴 @ 600mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 950mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.7nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 21.3pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 360mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | DFN1006B-3 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 568-12618-2 934068788315 PMZB600UNEYL-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PMZB600UNEYL | |
관련 링크 | PMZB600, PMZB600UNEYL 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | RL1206FR-7W0R16L | RES SMD 0.16 OHM 1% 1/2W 1206 | RL1206FR-7W0R16L.pdf | |
![]() | RC2512FK-07105KL | RES SMD 105K OHM 1% 1W 2512 | RC2512FK-07105KL.pdf | |
![]() | PTN1206E1782BST1 | RES SMD 17.8K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E1782BST1.pdf | |
![]() | HC1H478M25030HA180 | HC1H478M25030HA180 SAMWHA SMD or Through Hole | HC1H478M25030HA180.pdf | |
![]() | LFV24A121 | LFV24A121 LATTRON 1206-10 | LFV24A121.pdf | |
![]() | KM29W16000TAS | KM29W16000TAS SAMSUNG TSOP | KM29W16000TAS.pdf | |
![]() | NCP18XW153J03RB(NTH5G16P39B153J07TH) | NCP18XW153J03RB(NTH5G16P39B153J07TH) MURATA SMD or Through Hole | NCP18XW153J03RB(NTH5G16P39B153J07TH).pdf | |
![]() | TT425N16KCC25CN | TT425N16KCC25CN ORIGINAL SMD or Through Hole | TT425N16KCC25CN.pdf | |
![]() | IQTV-1 | IQTV-1 QFP- ST | IQTV-1.pdf | |
![]() | BYS26-90 | BYS26-90 SIE SMD or Through Hole | BYS26-90.pdf | |
![]() | SAA6752HS/V102 | SAA6752HS/V102 PHL QFP | SAA6752HS/V102.pdf |