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NXP Semiconductors PMZB370UNE,315

PMZB370UNE,315
제조업체 부품 번호
PMZB370UNE,315
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3
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내부 부품 번호EIS-PMZB370UNE,315
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PMZB370UNE
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C900mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs490m옴 @ 500mA, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.05V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs1.16nC(15V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds78pF @ 25V
전력 - 최대360mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XFDFN
공급 장치 패키지3-DFN1006B(.60x1)
표준 포장 10,000
다른 이름568-10842-2
934065874315
PMZB370UNE,315-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PMZB370UNE,315
관련 링크PMZB370U, PMZB370UNE,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
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