창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PMZ290UNEYL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PMZ290UNE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 500mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 950mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.68nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 83pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 360mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-101, SOT-883 | |
공급 장치 패키지 | DFN1006-3 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 568-12604-2 934068444315 PMZ290UNEYL-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PMZ290UNEYL | |
관련 링크 | PMZ290, PMZ290UNEYL 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
ASTMHTE-32.000MHZ-AC-E | 32MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-32.000MHZ-AC-E.pdf | ||
SIT3807AI-D2-33EB-24.576000T | OSC XO 3.3V 24.576MHZ OE | SIT3807AI-D2-33EB-24.576000T.pdf | ||
BYC20D-600PQ | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC | BYC20D-600PQ.pdf | ||
BUK7Y102-100B | BUK7Y102-100B NXP Power-SO8 | BUK7Y102-100B.pdf | ||
TMC57931EPDW | TMC57931EPDW ORIGINAL SMD or Through Hole | TMC57931EPDW.pdf | ||
632565_ | 632565_ ST S0P-8 | 632565_.pdf | ||
293D477X0006E2TE3 | 293D477X0006E2TE3 B SMD or Through Hole | 293D477X0006E2TE3.pdf | ||
LNT2A104MSEN | LNT2A104MSEN nichicon SMD or Through Hole | LNT2A104MSEN.pdf | ||
C1005JF0J105Z050BA | C1005JF0J105Z050BA TDK SMD or Through Hole | C1005JF0J105Z050BA.pdf | ||
TRW2010 | TRW2010 HG SMD or Through Hole | TRW2010.pdf | ||
PEF55016E V1.2 | PEF55016E V1.2 INFINEON BGA | PEF55016E V1.2.pdf | ||
KDR730E-RTF | KDR730E-RTF KEC SOD-523 | KDR730E-RTF.pdf |