창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PMZ290UNEYL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PMZ290UNE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 500mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 950mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.68nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 83pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 360mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-101, SOT-883 | |
| 공급 장치 패키지 | DFN1006-3 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 568-12604-2 934068444315 PMZ290UNEYL-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PMZ290UNEYL | |
| 관련 링크 | PMZ290, PMZ290UNEYL 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | NLW5-150 | 5µF 150V Aluminum Capacitors Axial, Can 40 Ohm @ 120Hz 1000 Hrs @ 105°C | NLW5-150.pdf | |
![]() | SM15T22AHE3/57T | TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC SMC | SM15T22AHE3/57T.pdf | |
| BZT55A18-GS08 | DIODE ZENER 18V 500MW SOD80 | BZT55A18-GS08.pdf | ||
![]() | CW252016-18NJ | 18nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 110 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | CW252016-18NJ.pdf | |
![]() | ERA-2ARC2490X | RES SMD 249 OHM 0.25% 1/16W 0402 | ERA-2ARC2490X.pdf | |
![]() | CMF55120K00FKR6 | RES 120K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55120K00FKR6.pdf | |
![]() | RSF3JT4R30 | RES MO 3W 4.3 OHM 5% AXIAL | RSF3JT4R30.pdf | |
![]() | MT8950 | MT8950 ORIGINAL DIP | MT8950.pdf | |
![]() | A886-Q | A886-Q QG TO-126F | A886-Q.pdf | |
![]() | PTHS9R03U222M | PTHS9R03U222M MURATA SMD or Through Hole | PTHS9R03U222M.pdf | |
![]() | SML4742-E3-61 | SML4742-E3-61 VISHAY SMD or Through Hole | SML4742-E3-61.pdf | |
![]() | KFG1G16U2M-DIB5 | KFG1G16U2M-DIB5 SAMSUNG BGA | KFG1G16U2M-DIB5.pdf |