홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » PMZ200UNEYL

NXP Semiconductors PMZ200UNEYL

PMZ200UNEYL
제조업체 부품 번호
PMZ200UNEYL
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V SOT883
데이터 시트 다운로드
다운로드
PMZ200UNEYL 가격 및 조달

가능 수량

28550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 63.73306
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PMZ200UNEYL 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PMZ200UNEYL 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PMZ200UNEYL가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PMZ200UNEYL 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PMZ200UNEYL 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PMZ200UNEYL
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PMZ200UNE
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.4A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs250m옴 @ 1.4A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)950mV @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs2.7nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds89pF @ 15V
전력 - 최대350mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-101, SOT-883
공급 장치 패키지DFN1006-3
표준 포장 10,000
다른 이름568-12603-2
934068609315
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PMZ200UNEYL
관련 링크PMZ200, PMZ200UNEYL 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PMZ200UNEYL 의 관련 제품
10µF 35V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) CL32F106ZLHNNNE.pdf
RES SMD 18.2KOHM 0.02% 1/4W 1206 RG3216V-1822-P-T1.pdf
PN3640/D27Z FSC TO-92 PN3640/D27Z.pdf
3474/GADB-AMPA/X/MS EVERLIGHT SMD or Through Hole 3474/GADB-AMPA/X/MS.pdf
DE2SYD KBR SMD or Through Hole DE2SYD.pdf
016B5 N/A SOT23-3 016B5.pdf
DE09-PD ORIGINAL SMD or Through Hole DE09-PD.pdf
GZ2012U601 ORIGINAL SMD or Through Hole GZ2012U601.pdf
G28009XA IBM BGA G28009XA.pdf
GRM43RR72A224MA01F MURATA 1812-224M GRM43RR72A224MA01F.pdf
SWI0603F-10N TAI-TECH SMD SWI0603F-10N.pdf
TL751L08CDRG4 TI SOP8 TL751L08CDRG4.pdf