창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PMXB350UPEZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PMXB350UPE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 447m옴 @ 1.2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 950mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.3nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 116pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 360mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | DFN1010D-3 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PMXB350UPEZ | |
| 관련 링크 | PMXB35, PMXB350UPEZ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | MKP383320200JI02W0 | 0.02µF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.394" W (26.00mm x 10.00mm) | MKP383320200JI02W0.pdf | |
![]() | EFS315 | FUSE CRTRDGE 315A 415VAC CYLINDR | EFS315.pdf | |
![]() | BUK7Y102-100B,115 | MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK | BUK7Y102-100B,115.pdf | |
![]() | RT1210WRD0736K5L | RES SMD 36.5KOHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRD0736K5L.pdf | |
![]() | CMF5061R900FKBF | RES 61.9 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF5061R900FKBF.pdf | |
![]() | SDS004 | SDS004 ORIGINAL SMD or Through Hole | SDS004.pdf | |
![]() | LTC2052CGN#TRPBF | LTC2052CGN#TRPBF LT QSOP | LTC2052CGN#TRPBF.pdf | |
![]() | 2SK55-E | 2SK55-E HIT TO-92 | 2SK55-E.pdf | |
![]() | 82N09G-AE3-5-R | 82N09G-AE3-5-R UTC SOT23 | 82N09G-AE3-5-R.pdf | |
![]() | Z61Y/Z63Y | Z61Y/Z63Y ORIGINAL SMD or Through Hole | Z61Y/Z63Y.pdf | |
![]() | CL201212T-150K-S | CL201212T-150K-S HILISIN O805 | CL201212T-150K-S.pdf |